单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™ 5TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）18A（Tj）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.6 毫欧 @ 22A，10V71 毫欧 @ 5A，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.3V @ 23µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V10 nC @ 4.5 V16.4 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 25 V773 pF @ 50 V1300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）2.5W（Ta），52W（Tc）65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33PG-TDSON-8-6TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
673,498
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31335
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
48,860
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.73059
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tj）
10V
71 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
8-Power TDFN
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Infineon Technologies
14,447
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.28996
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 23µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。