单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™SuperFET® III, FRFET®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）300mA（Tc）3.75A（Tc）4.8A（Ta）6.6A（Ta）6.8A（Ta）7.7A（Ta）8.8A（Ta），19A（Tc）9A（Ta）15A（Ta）30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3.3V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 20A，10V8.9 毫欧 @ 4A，10V9 毫欧 @ 9A，10V14.5 毫欧 @ 9A，10V16 毫欧 @ 8.5A，10V23 毫欧 @ 6.5A，10V25 毫欧 @ 5A，10V53 毫欧 @ 5.2A，10V125 毫欧 @ 2.4A，4.5V1.7 欧姆 @ 300mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 34µA2.1V @ 100µA2.1V @ 250µA2.35V @ 25µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.79 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V12.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V20.6 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V67.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V55 pF @ 30 V330 pF @ 10 V520 pF @ 60 V600 pF @ 25 V643 pF @ 15 V840 pF @ 10 V1130 pF @ 15 V1172 pF @ 15 V2569 pF @ 30 V4066 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）620mW（Ta）630mW（Ta）830mW（Ta）1W（Ta）1.2W（Ta）1.25W（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）2.1W（Ta）2.3W（Ta）13.6W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TA）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）6-UDFN（2x2）6-UDFNB（2x2）DFN2020MD-6PG-SOT23PowerDI3333-8POWERDI3333-8PowerPAK® SC-70-6TO-236ABTSOT-23-6
封装/外壳
6-PowerVDFN6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
显示
/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
638,174
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39011
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,621
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1.7 欧姆 @ 300mA，10V
2V @ 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
47,863
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 4A，10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TA）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,608
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.37343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB11EN,115
MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
84,349
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01498
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 9A，10V
2V @ 250µA
20.6 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
AP6320x
DMN3026LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Diodes Incorporated
14,014
现货
75,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 6.5A，10V
2V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
643 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
9,140
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.85341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPAK-SC-70W-6L_Single
SQA401CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Vishay Siliconix
4,780
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.19118
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.75A（Tc）
2.5V，4.5V
125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.3V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
6 UDFN
NVLJS053N12MCLTAG
PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
onsemi
2,757
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.41032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
4.8A（Ta）
4.5V，10V
53 毫欧 @ 5.2A，10V
3V @ 30µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
520 pF @ 60 V
-
620mW（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMT32M5LFG-13
MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Diodes Incorporated
2,856
现货
1,263,000
工厂
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.80279
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
67.7 nC @ 10 V
±20V
4066 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
6-UDFN
NVLUS4C12NTAG
MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
onsemi
0
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.8A（Ta）
3.3V，10V
9 毫欧 @ 9A，10V
2.1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 15 V
-
630mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。