单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesQorvo
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.2A（Ta），122A（Tc）28A（Ta），237A（Tc）57A（Tc）62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 50A，10V6.3 毫欧 @ 50A，10V23 毫欧 @ 28A，10V35 毫欧 @ 40A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 146µA4V @ 250µA4.6V @ 153µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 12 V59 nC @ 10 V117 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 100 V3130 pF @ 25 V4550 pF @ 75 V8600 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），214W（Tc）3.8W（Ta），214W（Tc）200W（Tc）214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKD2PAK-7PG-HSOF-8PG-TSON-8-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,299
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
800 : ¥8.54234
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UF3C120080B7S
UF3SC065030B7S
650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Qorvo
2,668
现货
1 : ¥103.52000
剪切带（CT）
800 : ¥86.81385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
650 V
62A（Tc）
12V
35 毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
PG-TSON-8-3
BSC019N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Infineon Technologies
5,000
现货
1 : ¥32.59000
剪切带（CT）
5,000 : ¥15.23244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Ta），237A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 146µA
117 nC @ 10 V
±20V
8600 pF @ 40 V
-
3W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
3,926
现货
1 : ¥45.89000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.33316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
16.2A（Ta），122A（Tc）
8V，10V
6.3 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 153µA
59 nC @ 10 V
±20V
4550 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。