单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）300mA（Tc）6A（Ta）7.9A（Ta），20A（Tc）12A（Tc）15A（Ta），50A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.3 毫欧 @ 50A，10V9.9 毫欧 @ 9.8A，10V17.4 毫欧 @ 7.9A，10V29 毫欧 @ 8A，10V36 毫欧 @ 5A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.2V @ 17µA2.2V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.7 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V30 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V+20V，-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V350 pF @ 15 V550 pF @ 10 V1594 pF @ 25 V2340 pF @ 25 V4234 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）830mW（Tc）1.2W（Ta）1.7W（Ta）1.7W（Ta），10.9W（Tc）8W（Tc）46W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
MLPAK33PG-TO252-3-313SOT-223SOT-23FTO-236TO-236ABTO-252-3
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
43,501
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
66,015
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.04977
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
12A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 8A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-252-2
DMP4010SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Diodes Incorporated
7,221
现货
87,500
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
2N7002/HAMR
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
51,758
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34449
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Vishay Siliconix
2,018
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71220
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
23,026
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.29234
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 17µA
30 nC @ 10 V
+20V，-16V
2340 pF @ 25 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power VDFN
PXN017-30QLJ
PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
4,245
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.9A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
17.4 毫欧 @ 7.9A，10V
2.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），10.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。