单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）2.4A（Ta）15A（Ta），50A（Tc）26A（Ta），100A（Tc）36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 30A，10V4.7 毫欧 @ 18A，4.5V6.6 毫欧 @ 17A，10V80 毫欧 @ 4.2A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V12.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V65 nC @ 5 V68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26.7 pF @ 25 V587 pF @ 20 V1656 pF @ 20 V4300 pF @ 10 V5070 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）720mW（Ta）3.1W（Ta），77W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（5x6）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
460,600
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32432
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
15,697
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 17A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18502Q5B
MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
Texas Instruments
3,091
现货
1 : ¥20.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.32053
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
26A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 20 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMP4065S-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
23,389
现货
501,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79551
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
587 pF @ 20 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
4,055
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.33510
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
36A（Tc）
2.5V，4.5V
4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
1.2V @ 1mA
65 nC @ 5 V
±12V
4300 pF @ 10 V
-
42W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。