单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.5A（Ta），60A（Tc）300A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 150A，10V7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 280µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V223 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3135 pF @ 50 V17000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），125W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN TOP
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
onsemi
4,286
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.74239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.5A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
3135 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
x-xSOF-8-1
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
8,974
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.49290
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。