单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）300mA（Ta）3.2A（Tc）30A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.15 毫欧 @ 15A，10V19 毫欧 @ 8A，10V115 毫欧 @ 2.4A，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V32 nC @ 10 V77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V50 pF @ 25 V330 pF @ 10 V1400 pF @ 25 V3595 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）500mW（Ta）2W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
428,748
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
116,159
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SISA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
32,052
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.07467
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
2.15 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
77 nC @ 10 V
+20V，-16V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,629
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59854
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Tc）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.45102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。