单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 75A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V4750 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
160,156
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRFB3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Infineon Technologies
1,320
现货
1 : ¥19.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
120A（Tc）
10V
5.8 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
110 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 50 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。