单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
12 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 9A，4.5V44 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 15 V1370 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）2.5W（Ta）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
779,947
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
44 毫欧 @ 4.3A，10V
1.3V @ 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.58988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
9A（Ta）
1.5V，4.5V
19 毫欧 @ 9A，4.5V
900mV @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1370 pF @ 6 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。