单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）360mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 欧姆 @ 350mA，10V6 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.58 nC @ 4 V0.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50.54 pF @ 25 V56 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）425mW（Ta）
供应商器件封装
TO-236ABX1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMP56D0UFB-7B
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
49,610
现货
150,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.63622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.5V，4V
6 欧姆 @ 100mA，4V
1.2V @ 250µA
0.58 nC @ 4 V
±8V
50.54 pF @ 25 V
-
425mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TO-236AB
BSS138BKVL
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
12,054
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.37917
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。