单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）13A（Ta）， 75A（Tc）40A（Tc）44A（Tc）51A（Tc）60A（Tc）74A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 50A，10V7.2 毫欧 @ 37A，10V8.04 毫欧 @ 20A， 10V8.05 毫欧 @ 20A， 10V9.6 毫欧 @ 20A，10V10.6 毫欧 @ 60A， 10V12.8 毫欧 @ 16A，10V14.6 毫欧 @ 22A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 23µA2.3V @ 36µA3V @ 1mA3.3V @ 36µA3.8V @ 36µA3.8V @ 67µA4V @ 1mA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V14 nC @ 6 V14.6 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V29 nC @ 10 V54 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V1300 pF @ 50 V1515 pF @ 50 V1560 pF @ 50 V1800 pF @ 50 V2100 pF @ 40 V2100 pF @ 50 V3900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta），52W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）3W（Ta），73W（Tc）3W（Ta），83W（Tc）63W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOP8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8 FLSOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
onsemi
13,476
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.32197
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
51A（Tc）
6V，10V
12.8 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 90µA
14 nC @ 6 V
±20V
1515 pF @ 50 V
-
63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
29,924
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.26635
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
74A（Tc）
6V，10V
7.2 毫欧 @ 37A，10V
3.8V @ 36µA
29 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
14,586
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.25024
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 67µA
54 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-23-3
MMBF170
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
onsemi
27,039
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Infineon Technologies
13,267
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.29030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 23µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
5,945
现货
1 : ¥14.04000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.08910
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）， 75A（Tc）
8V，10V
8.05 毫欧 @ 20A， 10V
3.3V @ 36µA
24 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Infineon Technologies
7,924
现货
1 : ¥17.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.52090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
14.6 nC @ 4.5 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
4,480
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.92989
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）， 75A（Tc）
8V，10V
8.04 毫欧 @ 20A， 10V
3.3V @ 36µA
24 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8 FL
8-PowerTDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,235
现货
1 : ¥19.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.60211
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
6V，10V
10.6 毫欧 @ 60A， 10V
4V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 50 V
-
3W（Ta），73W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。