单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
280 毫欧 @ 4.5A，10V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.45 nC @ 4.5 V21 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 25 V1080 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）2.5W（Ta），55W（Tc）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
TO-252AAX1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Diodes Incorporated
248,192
现货
363,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.45 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TO-252AA
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
onsemi
27,500
现货
2,500 : ¥4.13781
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
5V，10V
280 毫欧 @ 4.5A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 5 V
±20V
1080 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），55W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。