单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVIπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）4A（Ta）60A（Ta）120A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V3.3V，10V4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 25A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 30A，10V38 毫欧 @ 3.6A，4.5V700毫欧 @ 200MA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 100µA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 4.5 V110 nC @ 10 V160 nC @ 10 V450 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V339 pF @ 10 V5640 pF @ 10 V6490 pF @ 50 V23600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）940mW960mW（Ta），132W（Tc）157W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）SOT-23-3TO-263（D2PAK）USM
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
101,986
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71839
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
38,399
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.84954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Ta）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 30A，10V
2.1V @ 1mA
160 nC @ 10 V
+10V，-20V
5640 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
72,561
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51126
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Ta）
3.3V，10V
700毫欧 @ 200MA，10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
TO-263 (D2Pak)
SQM40041EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
1,288
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
800 : ¥13.38784
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
450 nC @ 10 V
±20V
23600 pF @ 25 V
-
157W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
1,929
现货
1 : ¥23.56000
带
带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6490 pF @ 50 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。