单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）780mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 610mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.45 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V97 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）540mW（Ta）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
206,168
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
780mA（Ta）
2.7V，4.5V
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
287,557
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29685
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。