单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemi
系列
-HEXFET®HiPerFET™, Ultra X3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V75 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）80A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 46A，10V12 毫欧 @ 60A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4V @ 100µA4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
84 nC @ 10 V122 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V3070 pF @ 50 V7870 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）140W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-323TO-268AA
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
23,841
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
800 : ¥6.72110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 46A，10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
59,936
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66583
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-263
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥116.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
120A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 60A，10V
4.5V @ 4mA
122 nC @ 10 V
±20V
7870 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。