单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
OptiMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）35A（Tc）44A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 34A，10V35 毫欧 @ 35A，10V65 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2350 pF @ 100 V2410 pF @ 100 V13400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
136W（Tc）150W（Tc）298W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TO220-3TO-220-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
6,335
现货
1 : ¥26.76000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.51310
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35A（Tc）
10V
35 毫欧 @ 35A，10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-220-3
IPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Infineon Technologies
4,658
现货
1 : ¥28.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
34A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Littelfuse Inc.
295
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
44A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。