单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™MDmesh™ DM6OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V120 V150 V250 V400 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）6A（Tc）8A（Tc）10.5A（Ta），61.3A（Tc）18.4A（Ta），108A（Tc）41A（Tc）45A（Tc）70A（Tc）250A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 30A，10V5.1 毫欧 @ 34A，10V11.1 毫欧 @ 70A，10V15 毫欧 @ 29A，10V50 毫欧 @ 24.8A，10V65 毫欧 @ 20.5A，10V300 毫欧 @ 4A，10V520 毫欧 @ 1A，10V660 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 192µA4V @ 250µA4V @ 83µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 162µA4.5V @ 200µA5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 5 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V53 nC @ 10 V55 nC @ 10 V65 nC @ 10 V102 nC @ 10 V147 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V543 pF @ 100 V1440 pF @ 25 V2120 pF @ 75 V2310 pF @ 100 V4100 pF @ 50 V4355 pF @ 25 V4975 pF @ 400 V9871 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）3.1W（Ta），107.1W（Tc）3.8W（Ta），131W（Tc）6W（Ta），250W（Tc）62.5W（Tc）85W（Tc）125W（Tc）227W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）DPAKPG-TO252-3PG-TO263-3POWERDI1012-8TO-252TO-263（D2PAK）TSMT3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN，5 引线SC-96TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT3
RSR010N10HZGTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,471
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.13870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
4V，10V
520 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 1mA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
DPAK
NVDS015N15MCT4G
PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
onsemi
3,076
现货
12,500
工厂
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.10666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
10.5A（Ta），61.3A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 29A，10V
4.5V @ 162µA
27 nC @ 10 V
±20V
2120 pF @ 75 V
-
3.1W（Ta），107.1W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Infineon Technologies
8,555
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.49043
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
70A（Tc）
10V
11.1 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 83µA
65 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3U080AAFRATL
250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Rohm Semiconductor
4,399
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.84115
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
8A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 4A，10V
5V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1440 pF @ 25 V
-
85W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,518
现货
1 : ¥20.61000
剪切带（CT）
1,000 : ¥9.77689
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
6A（Tc）
10V
660 毫欧 @ 3.2A，10V
4.5V @ 200µA
20 nC @ 10 V
±20V
543 pF @ 100 V
-
62.5W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R050CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
830
现货
1 : ¥89.16000
剪切带（CT）
1,000 : ¥50.58646
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
45A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±30V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS005N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
onsemi
2,701
现货
103,500
工厂
1 : ¥15.19000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.22064
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18.4A（Ta），108A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 34A，10V
3V @ 192µA
55 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），131W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
8-PowerSFN
DMTH10H1M7STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
1,422
现货
1 : ¥42.94000
剪切带（CT）
1,500 : ¥22.18609
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
250A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±20V
9871 pF @ 50 V
-
6W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
D2Pak
STB41N40DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥50.08000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.41750
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
41A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 20.5A，10V
5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±25V
2310 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。