单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™CoolMOS™MDmesh™ K5OptiMOS™OptiMOS™ 5SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V80 V100 V650 V800 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA(Ta)300mA(Ta)2A(Tc)4.6A(Tc)5A(Tc)7A(Tc)17.5A(Tc)20A(Tc)29A(Tc)35A(Tc)46A(Tc)49A(Ta),380A(Tc)260A(Tj)300A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 20A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V9.9 毫欧 @ 20A,10V24 毫欧 @ 35A,10V55 毫欧 @ 19A,10V99 毫欧 @ 9.7A,10V173 毫欧 @ 5A,10V190 毫欧 @ 7.3A,10V1 欧姆 @ 300mA,10V1.6 欧姆 @ 3.5A,10V2.1 欧姆 @ 2.5A,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V4.3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26µA2V @ 1mA2.3V @ 14µA2.4V @ 39µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA3.8V @ 210µA3.8V @ 275µA4.5V @ 480µA4.5V @ 700µA5V @ 100µA5V @ 1mA5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 10 V3.1 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V6 nC @ 10 V12.1 nC @ 10 V20 nC @ 10 V28 nC @ 10 V39 nC @ 10 V41 nC @ 10 V68 nC @ 10 V166 nC @ 10 V220 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
33 pF @ 10 V41 pF @ 25 V105 pF @ 100 V240 pF @ 25 V500 pF @ 25 V619 pF @ 25 V850 pF @ 25 V1300 pF @ 30 V1490 pF @ 25 V1850 pF @ 100 V1942 pF @ 400 V2700 pF @ 25 V11830 pF @ 50 V12500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)360mW(Ta)8W(Tc)8.3W(Ta),500W(Tc)36W(Tc)45W(Tc)46W(Tc)69W(Tc)71W(Tc)120W(Tc)140W(Tc)151W(Tc)186W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKLPTSPG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-22-1PG-SOT23PG-TO252-3-11PG-TO263-3PG-TSDSON-8-FLSMT3SOT-223TO-252TO-252AATOLLA
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块22-PowerBSOP 模块TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
84,703
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48230
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,611
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.97948
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STMicroelectronics
5,474
现货
1 : ¥15.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.76037
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
2A(Tc)
10V
5 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 100µA
3.4 nC @ 10 V
±30V
105 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
AOTL66610
AOTL66912
MOSFET N-CH 100V 49A/380A TOLLA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,832
现货
1 : ¥53.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥28.68839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
49A(Ta),380A(Tc)
6V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±20V
12500 pF @ 50 V
-
8.3W(Ta),500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N011TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,952
现货
1 : ¥59.60000
剪切带(CT)
1,800 : ¥33.78847
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.1 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
SOT223
BUK98180-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
Nexperia USA Inc.
94,612
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.88121
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.6A(Tc)
4.5V,10V
173 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
619 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-252
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Vishay Siliconix
2,616
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.22916
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A(Tc)
4.5V,10V
55 毫欧 @ 19A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 25 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Infineon Technologies
292
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46006
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
35A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 35A,10V
2.4V @ 39µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Infineon Technologies
1,222
现货
1 : ¥41.13000
剪切带(CT)
1,000 : ¥21.28295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
17.5A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
4.5V @ 700µA
68 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
RB098BM-40FNSTL
R8002CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Rohm Semiconductor
7,296
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.44707
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2A(Tc)
10V
4.3 欧姆 @ 1A,10V
5.5V @ 1mA
12.1 nC @ 10 V
±30V
240 pF @ 25 V
-
69W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LPTS
R8005ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Rohm Semiconductor
1,848
现货
1 : ¥17.82000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.85301
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 2.5A,10V
5V @ 1mA
20 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
120W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
RB098BM-40FNSTL
R8007AND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Rohm Semiconductor
4,914
现货
1 : ¥28.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥19.26240
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
7A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 3.5A,10V
5V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±30V
850 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
3,765
现货
1 : ¥53.12000
剪切带(CT)
1,800 : ¥30.12080
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tj)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 210µA
166 nC @ 10 V
±20V
11830 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
460
现货
1 : ¥47.01000
剪切带(CT)
750 : ¥29.46977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
29A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 9.7A,10V
4.5V @ 480µA
39 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
186W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
SMT3
RHK003N06FRAT146
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4V,10V
1 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 1mA
6 nC @ 10 V
±20V
33 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SMT3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。