单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 12.5A，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.87 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
394,105
现货
3,768,000
工厂
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.24725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD26NF10
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
4,279
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.67765
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
10V
38 毫欧 @ 12.5A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。