单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）1.1A（Ta）5.7A（Ta）27A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 7.1A，10V21 毫欧 @ 7.4A，10V30 毫欧 @ 10A，10V52 毫欧 @ 6A，10V725 毫欧 @ 1.1A，10V1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 10 V234 pF @ 100 V800 pF @ 25 V978 pF @ 50 V979 pF @ 25 V1258 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）1.6W（Ta）3.2W（Ta），40W（Tc）45W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® SO-8SC-89-3SuperSOT™-6
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SC-89，SOT-490SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,779
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20408
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Tc）
10V
30 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-WDFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
onsemi
4,262
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.48415
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.7A（Ta）
4.5V，10V
52 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ488EP-T2_GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
14,465
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.33246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 7.1A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 50 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak® SO-8
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,964
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62849
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 7.4A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
979 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak® SO-8
SQJ488EP-T2_BE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62849
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 7.1A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 50 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerTrench Series SC-89-3
FDY100PZ
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
onsemi
17,892
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13738
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
100 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SG6858TZ
FDC2612
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.28390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.1A（Ta）
10V
725 毫欧 @ 1.1A，10V
4.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
234 pF @ 100 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。