单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA(Ta)5.97A(Tc)7.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 5.1A,4.5V60 毫欧 @ 4.7A,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V12.4 nC @ 5 V18 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24.5 pF @ 20 V610 pF @ 10 V666 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)1.7W(Ta),2.7W(Tc)2W(Ta),3.2W(Tc)
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
134,205
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5540
SI3460DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
3,929
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.9A(Tc)
1.8V,4.5V
28 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 8 V
±8V
666 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Vishay Siliconix
14,523
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.97A(Tc)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.5V @ 250µA
12.4 nC @ 5 V
±12V
610 pF @ 10 V
-
2W(Ta),3.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。