单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Tc)1A(Ta)13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
205 毫欧 @ 7.8A,10V630 毫欧 @ 1A,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.9V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 10 V58 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V100 pF @ 50 V760 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)1.4W(Ta)66W(Tc)
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
192,295
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37016
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
256,212
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84346
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1A(Ta)
4.5V,10V
630 毫欧 @ 1A,10V
2.9V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
18,179
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.78063
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。