单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）230mA（Ta）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.7V，4.5V3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 4A，8V3 欧姆 @ 100mA，4.5V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V14.1 pF @ 15 V340 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）2.4W（Ta），17W（Tc）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）SOT-23-3SOT-523
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
412,233
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-523
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Diodes Incorporated
71,258
现货
843,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46181
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
230mA（Ta）
1.2V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±10V
14.1 pF @ 15 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
6-WSON
CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
24,626
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
250 : ¥4.21920
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
3V，8V
30 毫欧 @ 4A，8V
1.8V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta），17W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。