单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.1A（Ta）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 12A，10V13.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1706 pF @ 10 V6290 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.4W90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SODPAK+
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,004
现货
70,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.86102
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12.1A（Ta）
2.5V，10V
8 毫欧 @ 12A，10V
1.2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±12V
1706 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
4,892
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.63456
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
6V，10V
13.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V，-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。