单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.6A（Ta）1.7A（Ta）3.2A（Ta）49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.7 毫欧 @ 25A，10V34 毫欧 @ 1A，4.5V54 毫欧 @ 3.2A，4.5V85 毫欧 @ 1.9A，10V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1.1V @ 250µA2V @ 250µA3.8V @ 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 4.5 V5 nC @ 5 V10 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V195 pF @ 15 V462 pF @ 6 V551 pF @ 10 V1300 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）400mW（Ta），8.33W（Tc）500mW（Ta）1.2W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
4-DSBGA（1x1）DFN1010D-3EMT3F（SOT-416FL）PG-TDSON-8-7SOT-23-3
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘4-UFBGA，DSBGA8-PowerTDFNSC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,459,943
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31152
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
55,258
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.83868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
54 毫欧 @ 3.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
551 pF @ 10 V
-
400mW（Ta），8.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
22,608
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.08978
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
49A（Tc）
6V，10V
11.7 毫欧 @ 25A，10V
3.8V @ 22µA
18 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
4-DSBGA-YZB
CSD13201W10
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
31,394
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06171
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.6A（Ta）
1.8V，4.5V
34 毫欧 @ 1A，4.5V
1.1V @ 250µA
2.9 nC @ 4.5 V
±8V
462 pF @ 6 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-DSBGA（1x1）
4-UFBGA，DSBGA
SOT-23-3
NDS355AN
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48472
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 1.9A，10V
2V @ 250µA
5 nC @ 5 V
±20V
195 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。