单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-OptiMOS™STripFET™ F6STripFET™ II
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）100A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 55A，10V6.9 毫欧 @ 15A，10V7.2 毫欧 @ 80A，10V9 毫欧 @ 50A，10V11 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 90µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V71 nC @ 10 V100 nC @ 10 V150 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3700 pF @ 25 V4461 pF @ 40 V4910 pF @ 50 V5955 pF @ 25 V9130 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
150W（Tc）176W（Tc）200W（Tc）210W（Tc）300W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-220TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP100N8F6
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
STMicroelectronics
41,323
现货
1 : ¥8.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5955 pF @ 25 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP75NF75
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
STMicroelectronics
2,173
现货
1 : ¥16.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IPP072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,247
现货
1 : ¥17.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
6V，10V
7.2 毫欧 @ 80A，10V
3.5V @ 90µA
68 nC @ 10 V
±20V
4910 pF @ 50 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
STP110N8F6
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
STMicroelectronics
741
现货
1 : ¥15.35000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
10V
6.5 毫欧 @ 55A，10V
4.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
9130 pF @ 40 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
PSMN6R5-80PS,127
MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
5,000
现货
1 : ¥22.49000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
6.9 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
71 nC @ 10 V
±20V
4461 pF @ 40 V
-
210W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。