单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）3.6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 5A，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62 nC @ 4.5 V17.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V1540 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）470mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
16,941
现货
1,092,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52304
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.62 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
NTR3C21NZT3G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
onsemi
8,929
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
10,000 : ¥1.00890
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
17.8 nC @ 4.5 V
±8V
1540 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。