单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial Co
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A14.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3.3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 10A，10V70 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.6 nC @ 4.5 V74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
220 pF @ 10 V3537 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW1W（Ta）
供应商器件封装
POWERDI3333-8SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,345
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48131
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A
2.5V，4.5V
70 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±10V
220 pF @ 10 V
-
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerDI3333-8
DMN4008LFG-7
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Diodes Incorporated
22,032
现货
22,000
工厂
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.38199
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14.4A（Ta）
3.3V，10V
7.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
3537 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。