单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip TechnologyPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tj)5A(Ta),18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
34 毫欧 @ 10A,10V4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V1173 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
360mW(Tc)2W(Ta),24W(Tc)
供应商器件封装
DFN3333-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
VN2110K1-G
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Microchip Technology
11,698
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.02258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA(Tj)
5V,10V
4 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
360mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN3333-8
PJQ4468AP_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,975
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta),18A(Tc)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1173 pF @ 25 V
-
2W(Ta),24W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。