单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）360mA（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
200 毫欧 @ 2A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V14 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V50 pF @ 10 V140 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）350mW（Ta），3.1W（Tc）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
MPT3SOT-883TO-236AB
封装/外壳
SC-101，SOT-883TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
834,276
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40,698
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.27204
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
SC-62_MPT3
RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
118,955
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.70629
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
200 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 1mA
14 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MPT3
TO-243AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。