单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V45 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta），8A（Tc）8A（Ta）28A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 10A，5V23 毫欧 @ 8A，10V91 毫欧 @ 8A，10V120 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.1V @ 5mA3V @ 1mA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.6 nC @ 5 V9 nC @ 5 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
637 pF @ 20 V724 pF @ 30 V865 pF @ 85 V1000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），15W（Tc）15W（Tc）28W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-FCLGA（3.2x2.2）DFN2020MD-6TO-252
封装/外壳
3-VLGA6-UDFN 裸露焊盘TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-60PX
MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Nexperia USA Inc.
35,147
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta），8A（Tc）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 3A，10V
3.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
724 pF @ 30 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
BUK9D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
9,604
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11048
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.1V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±15V
637 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
RB098BM-40FNSTL
RD3H080SPTL1
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Rohm Semiconductor
2,409
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.13101
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
8A（Ta）
4V，10V
91 毫欧 @ 8A，10V
3V @ 1mA
9 nC @ 5 V
±20V
1000 pF @ 10 V
-
15W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
GAN7R0-150LBEZ
GAN7R0-150LBEZ
150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Nexperia USA Inc.
4,057
现货
1 : ¥25.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.69596
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
150 V
28A
5V
7 毫欧 @ 10A，5V
2.1V @ 5mA
7.6 nC @ 5 V
+6V，-4V
865 pF @ 85 V
-
28W
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-FCLGA（3.2x2.2）
3-VLGA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。