单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）3.5A（Ta）12A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.55 毫欧 @ 25A，10V8 毫欧 @ 12A，10V42 毫欧 @ 3A，10V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.2V @ 250µA1.95V @ 1mA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 10 V62 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
115 pF @ 10 V281 pF @ 10 V3200 pF @ 15 V4044 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）500mW（Ta）2W（Ta）179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）LFPAK56，Power-SO8SOT-323UMT3F
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100，SOT-669SC-70，SOT-323SC-85
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
72,450
现货
561,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56313
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
UMT3F
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
160,373
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38480
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
8-HSMT
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
20,677
现货
1 : ¥6.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.30398
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,909
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.66987
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
1.55 毫欧 @ 25A，10V
1.95V @ 1mA
65 nC @ 10 V
±20V
4044 pF @ 15 V
-
179W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。