单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™ 6TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）56A（Ta），368A（Tc）62A（Ta）300A（Tc）380A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.55 毫欧 @ 100A，10V0.67 毫欧 @ 25A，10V0.72 毫欧 @ 50A，10V0.82 毫欧 @ 25A，10V130毫欧 @ 2，2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 2mA3V @ 145µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V157 nC @ 10 V162 nC @ 10 V170 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
616 pF @ 30 V4852 pF @ 15 V6160 pF @ 15 V9600 pF @ 25 V11144 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
710mW（Ta），8.3W（Tc）4.2W（Ta），180W（Tc）250W（Tc）268W（Tc）333W（Tc）
供应商器件封装
8-LFPAKLFPAK56，Power-SO8PG-HSOF-5-5TO-236AB
封装/外壳
5-PowerSFNSC-100，SOT-669SOT-1023，4-LFPAKSOT-1205，8-LFPAK56TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,264
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥15.01712
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
62A（Ta）
7V，10V
0.55 毫欧 @ 100A，10V
3V @ 145µA
170 nC @ 10 V
±20V
11144 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-5
5-PowerSFN
TO-236AB
PMV100EPAR
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
12,724
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09258
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
130毫欧 @ 2，2A，10V
3.2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
616 pF @ 30 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-1023
PSMNR58-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
22,500
现货
1 : ¥26.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.70271
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
380A（Tc）
4.5V，10V
0.67 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 2mA
188 nC @ 10 V
±20V
6160 pF @ 15 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SOT-1023，4-LFPAK
LFPAK8
NTMJS0D8N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
onsemi
2,886
现货
1 : ¥28.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.95181
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
56A（Ta），368A（Tc）
4.5V，10V
0.72 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
162 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 25 V
-
4.2W（Ta），180W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-LFPAK
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMNR70-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥14.61000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.92300
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300A（Tc）
4.5V，10V
0.82 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 2mA
157 nC @ 10 V
±20V
4852 pF @ 15 V
-
268W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。