单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）21A（Ta）67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 16A，10V11 毫欧 @ 25A，10V135 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V45 nC @ 10 V54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 25 V2800 pF @ 40 V3640 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），44W（Tc）2.8W（Ta），63W（Tc）117W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）LFPAK56，Power-SO8TO-252AA
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100，SOT-669TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
18,430
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.44402
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
10V
135 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±25V
900 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN011-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
12,084
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.46999
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
67A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
45 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 40 V
-
117W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8-VSONP
CSD17581Q3A
MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Texas Instruments
7,171
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.33329
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 16A，10V
1.7V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3640 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。