单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.1A（Ta）3A（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V105 毫欧 @ 3A，10V160 毫欧 @ 2.1A，4.5V3.5 欧姆 @ 200mA，5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V300 pF @ 25 V759 pF @ 30 V4230 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）1.25W（Ta）1.6W（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323SuperSOT™-6
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerTDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
809,486
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41599
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
132,861
现货
402,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,112,695
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
23,197
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
11,212
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。