单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
DUAL COOL®OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19.4A（Ta），174A（Tc）23A（Ta），165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 50A，10V4.45 毫欧 @ 95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 521µA4.6V @ 235µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
79 nC @ 10 V89 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6514 pF @ 75 V7000 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），300W（Tc）5W（Ta），292W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-TDFNW（8.3x8.4）PG-HDSOP-16-2
封装/外壳
8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
159
现货
1 : ¥62.64000
剪切带（CT）
1,800 : ¥35.50903
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19.4A（Ta），174A（Tc）
8V，10V
4.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 235µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
8-TDFNW
NVMTSC4D3N15MC
PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
onsemi
3,000
现货
1 : ¥49.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.03964
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
23A（Ta），165A（Tc）
10V
4.45 毫欧 @ 95A，10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W（Ta），292W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。