单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 3TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.8A（Ta），108A（Tc）40A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.15 毫欧 @ 15A，10V9.7 毫欧 @ 40A，10V11.1 毫欧 @ 96A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3.3V @ 14µA4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V77 nC @ 10 V81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1075 pF @ 30 V3595 pF @ 15 V7000 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），36W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOG-8-1PG-TDSON-8-6PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Infineon Technologies
19,436
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.94498
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
46A（Tc）
6V，10V
9.7 毫欧 @ 40A，10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SISA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
32,052
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.07467
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
2.15 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
77 nC @ 10 V
+20V，-16V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
1,806
现货
1 : ¥65.68000
剪切带（CT）
1,800 : ¥37.24857
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
10.8A（Ta），108A（Tc）
10V
11.1 毫欧 @ 96A，10V
4V @ 267µA
81 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 100 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。