单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
450 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80mA（Ta）250mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 欧姆 @ 60mA，10V150 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 25 V59.2 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）13.9W（Tc）
供应商器件封装
SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Diodes Incorporated
60,754
现货
405,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68567
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
80mA（Ta）
4.5V，10V
100 欧姆 @ 60mA，10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
25 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMP45H150DHE-13
MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Diodes Incorporated
6,159
现货
80,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.35018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
250mA（Tc）
10V
150 欧姆 @ 50mA，10V
4V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±30V
59.2 pF @ 25 V
-
13.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。