单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ C7OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V80 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Tc）46A（Ta），300A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.92 毫欧 @ 50A，10V1.5 毫欧 @ 100A，10V65 毫欧 @ 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA3.8V @ 279µA4V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V86 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2850 pF @ 400 V6100 pF @ 25 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.9W（Ta），166W（Tc）180W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TO263-7PG-VSON-4-1
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerTDFN，5 引线TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
950
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
5,100
现货
1 : ¥64.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥34.50471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
29A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 400 V
-
180W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4-1
4-PowerTSFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C410NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
onsemi
1,438
现货
1 : ¥35.22000
剪切带（CT）
1,500 : ¥18.20781
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
46A（Ta），300A（Tc）
10V
0.92 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 25 V
-
3.9W（Ta），166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。