单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiTexas Instruments
系列
NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），56A（Tc）145A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 50A，10V7.5 毫欧 @ 17A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
955 pF @ 15 V6195 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta）153W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD1632x Series 8-SON
CSD17304Q3
MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Texas Instruments
5,743
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.86574
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），56A（Tc）
3V，8V
7.5 毫欧 @ 17A，8V
1.8V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
955 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD8444
MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥17.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.11904
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
145A（Tc）
10V
5.2 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
6195 pF @ 25 V
-
153W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。