单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
196mA（Ta）250mA（Ta）9.2A（Ta），45A（Tc）93A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.4 毫欧 @ 15A，10V19 毫欧 @ 30A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 78µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 5 V13 nC @ 10 V350 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V30.3 pF @ 25 V965 pF @ 50 V14100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）347mW（Ta）2.7W（Ta），62W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）SOT-23-3（TO-236）SST3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Vishay Siliconix
2,952
现货
1 : ¥27.09000
剪切带（CT）
800 : ¥16.37324
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
93A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
14100 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
280,878
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
onsemi
356,359
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52304
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
196mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 250µA
1 nC @ 5 V
±20V
30.3 pF @ 25 V
-
347mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
488~511DY~~8-Top
NTTFS012N10MDTAG
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
onsemi
4,885
现货
12,000
工厂
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.83214
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.2A（Ta），45A（Tc）
6V，10V
14.4 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 78µA
13 nC @ 10 V
±20V
965 pF @ 50 V
-
2.7W（Ta），62W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。