单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）115mA（Tc）200mA（Ta）360mA（Ta）15A（Ta），99A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 15A，10V1.6 欧姆 @ 350mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V108 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V56 pF @ 10 V8205 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）300mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）
供应商器件封装
8-Dual Cool™88SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
24,213
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.24724
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
90,599
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28952
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
209,185
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37016
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
499,437
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PQFN
FDMT800150DC
MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
onsemi
9,515
现货
1 : ¥41.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.88767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
15A（Ta），99A（Tc）
6V，10V
6.5 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
8205 pF @ 75 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。