单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）130mA（Ta）320mA（Ta）8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V637 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
250mW（Tc）300mW（Ta）370mW（Ta）15W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
444,625
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
223,326
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43244
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT7G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
51,588
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,500 : ¥0.29868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK9D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
12,769
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11048
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.1V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±15V
637 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。