单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）1A（Ta）3.8A（Ta）4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 6A，10V62 毫欧 @ 4.2A，4.5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V0.74 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 25 V60.67 pF @ 16 V487 pF @ 20 V642 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）800mW（Ta）1.38W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323TO-236AB
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
696,512
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31335
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
547,430
现货
7,053,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
449,089
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56155
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
126,535
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。