单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 3.8A，4.5V34 毫欧 @ 6.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 30µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.8 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 15 V1147 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2W（Ta），4.2W（Tc）
供应商器件封装
6-TSOPPG-SC59-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
20,744
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20984
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
2.5V，4.5V
21 毫欧 @ 3.8A，4.5V
1.2V @ 30µA
8.8 nC @ 4.5 V
±12V
1147 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5540
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
81,132
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
34 毫欧 @ 6.1A，10V
3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。