单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
CoolMOS™ CEHEXFET®QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V200 V400 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A（Tc）3.7A（Tc）4.3A（Ta）4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V1 欧姆 @ 2.25A，10V1.4 欧姆 @ 1.85A，10V3.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA3.5V @ 40µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 5 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
93 pF @ 100 V430 pF @ 25 V625 pF @ 25 V830 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）2.5W（Ta），45W（Tc）2.5W（Ta），48W（Tc）29W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TO252-3TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
49,794
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Infineon Technologies
4,180
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.6A（Tc）
10V
3.4 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
29W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.88902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.7A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.56590
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
4.5A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.25A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
625 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。