单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip Technologyonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA(Tj)2A(Ta)4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 4A,10V80 毫欧 @ 2A,10V1000 欧姆 @ 500µA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 11µA3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 10 V8.1 nC @ 5 V12 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10 pF @ 25 V470 pF @ 15 V500 pF @ 15 V750 pF @ 15 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)1.6W(Ta)
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-89-3SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
227,129
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91742
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
C04-029 MB
LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Microchip Technology
39,898
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.92561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
30mA(Tj)
0V
1000 欧姆 @ 500µA,0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
SG6858TZ
FDC658P
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
9,188
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77820
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
10V
50 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±20V
750 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
11,925
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
8.1 nC @ 5 V
±25V
470 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。