单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsTexas Instruments
系列
CoolMOS™ C7MDmesh™ VNexFET™
漏源电压（Vdss）
80 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）42A（Tc）150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 100A，6V63 毫欧 @ 21A，10V65 毫欧 @ 17.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250µA4V @ 850µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V76 nC @ 10 V98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3020 pF @ 400 V4200 pF @ 100 V7820 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
171W（Tc）250W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-220-3TO-247
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
CSD19505KCS
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Texas Instruments
637
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Ta）
6V，10V
3.8 毫欧 @ 100A，6V
3.2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Infineon Technologies
198
现货
1 : ¥72.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
33A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 17.1A，10V
4V @ 850µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STWA57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
STMicroelectronics
90
现货
1 : ¥81.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
42A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。