单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）770mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
495 毫欧 @ 400mA，4.5V990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V1.54 nC @ 8 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55.2 pF @ 16 V80 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）430mW（Ta）
供应商器件封装
X2-DFN0606-3X2-DFN1006-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMP21D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Diodes Incorporated
23,071
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.59122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
770mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
1V @ 250µA
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN0606-3
DMN2990UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
Diodes Incorporated
1,177,504
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.68119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
55.2 pF @ 16 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。