单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-PowerTrench®QFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）1A（Tc）1.5A（Ta）1.5A（Tc）1.7A（Ta）2.2A（Ta）3A（Ta）3.3A（Tc）3.4A（Ta）3.7A（Tc）6.6A（Tc）16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 5.7A，10V90 毫欧 @ 3A，10V100 毫欧 @ 3.3A，10V130 毫欧 @ 3.4A，10V235 毫欧 @ 2.1A，10V310 毫欧 @ 2.2A，10V350 毫欧 @ 2.6A，10V385 毫欧 @ 1.5A，10V530 毫欧 @ 3.3A，10V540 毫欧 @ 900mA，10V540 毫欧 @ 900mA，5V1.05 欧姆 @ 500mA，10V1.4 欧姆 @ 1.85A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 10 V5.4 nC @ 10 V6.1 nC @ 5 V6.8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V9.1 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V21 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
79 pF @ 25 V180 pF @ 25 V195 pF @ 50 V205 pF @ 15 V250 pF @ 25 V274 pF @ 50 V315 pF @ 50 V430 pF @ 25 V470 pF @ 25 V508 pF @ 30 V633 pF @ 25 V717 pF @ 50 V1385 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）770mW（Ta）1.8W（Ta），8.3W（Tc）2W（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）2W（Tc）2.15W（Ta）2.2W（Ta）2.5W（Ta），44W（Tc）2.5W（Ta），45W（Tc）3W（Ta）3.1W（Ta）53W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8WSOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-3TO-252-3TO-252AA
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8WTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRLL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
14,458
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.80379
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Tc）
4V，5V
540 毫欧 @ 900mA，5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
onsemi
22,010
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.12372
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.3A（Tc）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 3.3A，10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK-1212-8W_Top
SQ7415CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Vishay Siliconix
17,908
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.92193
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
16A（Tc）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 5.7A，10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1385 pF @ 25 V
-
53W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
SOT-23-3
NDS0605
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
onsemi
28,716
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
180mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
2.5 nC @ 10 V
±20V
79 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-261-4, TO-261AA
PJW3N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
8,864
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.14471
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
310 毫欧 @ 2.2A，10V
2.5V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
508 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
3,063
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.26408
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.5A，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
195 pF @ 50 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223
PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Nexperia USA Inc.
13,562
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.82946
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3A（Ta）
10V
90 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 1mA
21 nC @ 10 V
±20V
633 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta），8.3W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
IRFL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
7,777
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.80379
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 900mA，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-252-2
ZXMP10A16KTC
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Diodes Incorporated
5,325
现货
375,000
工厂
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.23576
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3A（Ta）
6V，10V
235 毫欧 @ 2.1A，10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
717 pF @ 50 V
-
2.15W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-223-4
FDT458P
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
onsemi
124
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.40797
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.4A（Ta）
4.5V，10V
130 毫欧 @ 3.4A，10V
3V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
205 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMN10A11GTA
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Diodes Incorporated
1,532
现货
13,000
工厂
1 : ¥6.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.57765
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.7A（Ta）
6V，10V
350 毫欧 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
274 pF @ 50 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
TO-252AA
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.46704
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
530 毫欧 @ 3.3A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
470 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.88884
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.7A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT223-3L
FQT5P10TF
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.33706
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tc）
10V
1.05 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。